Back to School 2026 – szkolne hity i promocje
Pamięć RAM Silicon Power DDR5-5600 16384MB PC5-44800 (SP016GBRVE56AF02) - obraz 2
Pamięć RAM Silicon Power DDR5-5600 16384MB PC5-44800 (SP016GBRVE56AF02) - obraz 1
Pamięć RAM Silicon Power DDR5-5600 16384MB PC5-44800 (SP016GBRVE56AF02) - obraz 2
Pamięć RAM Silicon Power DDR5-5600 16384MB PC5-44800 (SP016GBRVE56AF02) - obraz 1
1/2

Pamięć RAM Silicon Power DDR5-5600 16384MB PC5-44800 (SP016GBRVE56AF02)

Kod :  600001408
Pojemność pamięci
Taktowanie pamięci
Rodzaj pamięci
Przeznaczenie
Schemat taktowania pamięci
  • 46-45-45-90
Liczba kości

Chwilowo niedostępny

2 072,37zł

 
Gwarancja. 12 miesięcy. Wymiana/zwrot towaru w ciągu 14 dni. 
 
 

Opis

  • Zbudowany z oryginalnych, wysokiej jakości układów DRAM i poddany rygorystycznym, długoterminowym testom stabilności, aby zapewnić niezawodność klasy korporacyjnej.
  • Zapewnia znacznie wyższą odporność na błędy i możliwości korekcji danych w porównaniu ze standardowymi modułami ECC UDIMM.
  • Szeroko przetestowany z popularnymi platformami serwerowymi w celu przeprowadzenia kompleksowych testów kompatybilności platform Intel i AMD.
  • Wyposażony w architekturę o wysokiej gęstości z 32 wewnętrznymi bankami zorganizowanymi w 8 grup po 4 banki w każdej, co zapewnia maksymalną przepustowość danych.
  • Wyposażony w zintegrowaną pamięć EEPROM z detekcją obecności szeregowej (SPD) dla dokładnej identyfikacji systemu i zoptymalizowanej konfiguracji.
  • Wykorzystuje najwyższej jakości pozłacane styki krawędziowe, aby zapewnić doskonałą jakość transmisji sygnału i długotrwałą trwałość połączenia.
  • Integracja zaawansowanej technologii ECC On-Die i sterownika zegara rejestrującego (Registring Clock Driver) w celu wykrywania i korygowania błędów pamięci w czasie rzeczywistym.
  • Działa z wysoce wydajnym napięciem 1.1 V, minimalizując zużycie energii w przedsiębiorstwie i zmniejszając emisję ciepła w centrach danych.
  • Zawiera dedykowany układ scalony Power Management IC (PMIC) zapewniający precyzyjną, zlokalizowaną regulację napięcia i zwiększoną stabilność sygnału.

Specyfikacja

Pojemność pamięci
Taktowanie pamięci
Napięcie zasilania
  • 1.1 V
Rodzaj pamięci
Efektywna przepustowość
  • 44800 MB/s
Przeznaczenie
Schemat taktowania pamięci
  • 46-45-45-90
Kraj producenta
Liczba kości
Współczynnik kształtu
Kod producenta
  • SP016GBRVE56AF02
Ilość w opakowaniu
  • 1 szt
Kraj rejestracji marki
  • Chiny (Tajwan)
Gwarancja
  • 12 miesięcy
EAN
  • 4713436166566
Producent
  • Silicon Power
Adres
  • Silicon Power Computer & Communications Inc. | 7f., No.106, Zhouzi St., Neihu District, Taipei City 114, Taiwan
Kontakt
Osoba odpowiedzialna na terenie UE
  • Silicon Power BV
Adres
  • Antennestraat 16, 1322ab, Almere, The Netherlands
Kontakt

* Specyfikacje produktów i wyposażenie mogą ulec zmianie przez producenta bez powiadomienia.

Opinie i pytania

Brak opinii o produkcie

Podziel się swoją opinią jako pierwszy