Wiosna pełna okazji – czas na dobre zakupy! 🌸
Pojemność pamięci
Rodzaj pamięci
Taktowanie pamięci
Schemat taktowania pamięci
  • CL46-45-45-90
Liczba kości

Pamięć RAM Silicon Power DDR5-5600 32768MB PC5-44800 (SP032GBLVU560F02)

Kod:  589686223

Dostępny

2 507,51

Paczkomat InPost  — DARMOWA DOSTAWA
Wyślemy 19 kwietnia
  • InPost Paczkomat®

    Darmowa dostawa

  • Automaty paczkowe i punkty odbioru

    Darmowa dostawa

  • Kurier
    InPost, DPD, DHL

    Darmowa dostawa

Płatność. Google Pay, Apple Pay, BLIK, BLIK Płacę Później, Przelewy24, Kartą płatniczą, Płatność przy odbiorze
Gwarancja. 5 lat. Wymiana/zwrot towaru w ciągu 14 dni. 
 
 
 

Opis

Wykorzystaj moc DDR5

Przenieś szybkość, pojemność i niezawodność na wyższy poziom dzięki nowoczesnej technologii tego modułu DDR5. Oferując agresywną prędkość 5600 MT/s, pamięć jest aż 1,5× szybsza niż standardowa DDR4 3200 MT/s, zapewniając procesorom wielordzeniowym wyjątkową responsywność i płynną pracę wielozadaniową.

Większa efektywność energetyczna

Pomimo wyższej wydajności moduł DDR5 poprawia efektywność energetyczną dzięki zintegrowanemu układowi zarządzania zasilaniem (PMIC). Regulacja napięcia bezpośrednio na module odciąża płytę główną i obniża napięcie robocze do 1,1 V (w porównaniu do 1,2 V w DDR4), co przekłada się na mniejsze zużycie energii.

Więcej możliwości bez spowolnień

W porównaniu do 16 GB pojemności pojedynczego układu w DDR4, ten moduł DDR5 podwaja ją do 32 GB dzięki większej liczbie banków i grup banków. Umożliwia to jednoczesne otwarcie większej liczby stron pamięci, zwiększając produktywność bez obaw o spadki wydajności przy pracy na wielu kartach i aplikacjach.

Wyższa wydajność obliczeniowa

Minimalna długość burst w DDR5 została zwiększona do 16 (w porównaniu do 8 w DDR4). Poprawia to efektywność magistrali danych, umożliwiając przesyłanie dwukrotnie większej ilości danych oraz zmniejszając liczbę operacji odczytu/zapisu potrzebnych do uzyskania dostępu do tej samej linii pamięci podręcznej.

Mniejsze ryzyko błędów

Moduł DDR5 wprowadza technologię On-Die ECC (Error Correction Code), która koryguje błędy bitowe w czasie rzeczywistym bezpośrednio w układzie DRAM. Zapewnia to większą stabilność systemu i automatyczną korekcję błędów danych.

Dwa kanały zamiast jednego

Dla jeszcze lepszej wydajności moduł DDR5 oferuje dwa niezależne kanały 32-bitowe w ramach jednego modułu. W porównaniu z pojedynczym kanałem w DDR4 rozwiązanie to zwiększa efektywność oraz zmniejsza opóźnienia dostępu do danych, zapewniając zoptymalizowaną pracę kontrolera pamięci.

Specyfikacja

Pojemność pamięci
Rodzaj pamięci
Napięcie zasilania
  • 1.1 V
Taktowanie pamięci
Efektywna przepustowość
  • 44800 MB/s
Schemat taktowania pamięci
  • CL46-45-45-90
Liczba kości
Współczynnik kształtu
Kraj producenta
Kod producenta
  • SP032GBLVU560F02
Ilość w opakowaniu
  • 2 szt
Kraj rejestracji marki
  • Chiny (Tajwan)
Gwarancja
  • 5 lat
EAN
  • 4713436152187
Producent
  • Silicon Power
Adres
  • Silicon Power Computer & Communications Inc. | 7f., No.106, Zhouzi St., Neihu District, Taipei City 114, Taiwan
Osoba odpowiedzialna na terenie UE
  • Silicon Power BV
Adres
  • Antennestraat 16, 1322ab, Almere, The Netherlands

* Specyfikacje produktów i wyposażenie mogą ulec zmianie przez producenta bez powiadomienia.

Opinie i pytania

Brak opinii o produkcie

Podziel się swoją opinią jako pierwszy