Gotowi na przygodę? Zaczynamy lato w plenerze!
RAM Silicon Power DDR3-1600 4096MB PC3-12800 (SP004GBVTU160N02/SP004GBLTU160N02) - obraz 1

RAM Silicon Power DDR3-1600 4096MB PC3-12800 (SP004GBVTU160N02/SP004GBLTU160N02)

Kod:  371196681
Pojemność pamięci
Taktowanie pamięci
Rodzaj pamięci
Schemat taktowania pamięci
  • CL11
Liczba kości

RAM Silicon Power DDR3-1600 4096MB PC3-12800 (SP004GBVTU160N02/SP004GBLTU160N02)

Kod:  371196681

Chwilowo niedostępny

49,49

Gwarancja. 36 miesięcy Wymiana/zwrot towaru w ciągu 14 dni 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 

Opis

4 GB pamięci RAM Silicon Power to doskonały wybór do modernizacji domowego komputera. Pozwala poprawić wydajność większości aplikacji.

Silicon Power DDR3-1600 składa się z modułu dual-rank (dwa chipsety).

Efektywna przepustowość - 12800 MB/s
Częstotliwość pamięci - 1600 MHz

Specyfikacja

Pojemność pamięci
Taktowanie pamięci
Rodzaj pamięci
Efektywna przepustowość
  • 12800 MB/s
Schemat taktowania pamięci
  • CL11
Liczba kości
Współczynnik kształtu
Kraj producenta
Kod producenta
  • SP004GBLTU160N02
Kraj rejestracji marki
  • Chiny (Tajwan)
Gwarancja
  • 36 miesięcy
EAN
  • 4712702626988
Producent
  • Silicon Power
Adres
  • Silicon Power Computer & Communications Inc. | 7f., No.106, Zhouzi St., Neihu District, Taipei City 114, Taiwan
Osoba odpowiedzialna na terenie UE
  • Silicon Power BV
Adres
  • Antennestraat 16, 1322ab, Almere, The Netherlands

* Specyfikacje produktów i wyposażenie mogą ulec zmianie przez producenta bez powiadomienia.

Opinie i pytania

Brak opinii o produkcie

Podziel się swoją opinią jako pierwszy
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image