SSD диск Samsung 850 Evo Series 500GB M.2 SATA III 3D V-NAND TLC (MZ-N5E500BW)

Особливості технології 3D V-NAND TLC

У звичайній флеш-пам'яті типу NAND комірки, у яких зберігається інформація, плоскі. Таку пам'ять просто виготовляти, але вона має низку хиб: для підвищення місткості чипа доводиться зменшувати розміри комірок, що збільшує їхній вплив одна на одну та знижує надійність зберігання інформації. SSD-накопичувачі Samsung виготовляються з використанням інноваційної архітектури 3D V-NAND TLC, у якій комірки мають циліндричну форму, що усуває їхній вплив одна на одну, а збільшення місткості досягається завдяки їхньому розміщенню кількома шарами без шкоди для надійності зберігання даних і швидкості роботи. Така конструкція дає змогу створити пам'ять, одночасно містку, швидку та надійну

Унікальна технологія TurboWrite — неперевершена швидкість обміну даними

Забезпечте максимальну швидкість читання/запису, для оптимізації швидкості виконання рутинних завдань із технологією TurboWrite від компанії Samsung. Порівнюючи із серією 840 EVO, накопичувачі серії EVO 850 показують на 13% вищий рівень продуктивності, завдяки більш високій швидкості (майже вдвічі) випадкового (random) запису. Вони так само забезпечують найвищу продуктивність у своєму класі та з послідовною (sequential) швидкістю читання й запису, забезпечуючи результат у 540 МБ/с і 500 Мб/с відповідно. Насолоджуйтесь оптимізованою випадковою (random) продуктивністю на всіх діапазонах глибини черги (QD) на ПК.

Перемкніть на вище передавання в режимі RAPID

Накопичувачі серії 850 EVO з інтерфейсом M.2 — справжні швидкісні боліди. Остання версія програми Samsung Magician дасть змогу вам ще більше пришвидшити роботу вашого накопичувача, включивши режим RAPID. Він може задіяти до 25% вільної оперативної пам'яті (DRAM) вашого комп'ютера як інтелектуального кешу. У режимі RAPID швидкість передавання даних, а також швидкість читання з випадковою (random) вибіркою зростає вдвічі, порівнюючи зі звичайним режимом.

Надійність, підкріплена технологією 3D V-NAND

SSD-накопичувачі серії 850 EVO гарантують надійність і довговічність завдяки подвоєнню життєвого циклу Total Bytes Written (TBW) проти попередніх поколінь накопичувачів серії 840 EVO.

Енергоефективність за підтримки 3D V-NAND

Накопичувачі серії 850 EVO дадуть змогу вашому ноутбуку працювати не тільки швидше, але й довше, завдяки підтримці спеціального режиму сну (під час якого пристрій споживає всього лише 2 мВт), а так само наявності інноваційної 3D V-NAND технології, яка вимагає на 50% менше енергії проти традиційних 2D NAND пристроїв, що забезпечує вам до 25% енергоефективності під час операцій запису.

Зручний формат для використання з різними пристроями

Універсальні Накопичувачі серії 850 EVO підійдуть вам мені залежно від типу пристрою, до якого ви збираєтеся їх під'єднати, або типу розміру їхнього конектора. Накопичувачі серії 850 EVO M.2 SATA мають такі ж вузькі та тонкі конектори як і SSD накопичувачі M.2 PCIe, тільки з підтримкою інтерфейсу SATA. Це ідеальне рішення для сучасних домашніх ПК, ноутбуків, а особливо ультрабуків або планшетних ПК, де розмір має вирішальне значення.

Динамічний теплозахист

Динамічний теплозахист у накопичувачах серії 850 EVO постійно й автоматично підтримує ідеальну температуру для оптимальної роботи пристрою.

Просте та швидке встановлення

З програмами «One-stop Install Navigator» і Samsung Data Migration, які є в комплекті, ви зможете за дві секунди перенести ваші дані зі старого SSD або HDD-накопичувача на накопичувач 850 серії EVO, а з програмою Magician можна додатково оптимізувати його роботу.

Злагоджена робота всіх компонентів

На відміну від багатьох виробників, компанія Samsung самостійно випускає всі компоненти своїх SSD-накопичувачів. Результат — висока надійність, ефективність і злагодженість роботи всіх компонентів SSD-накопичувача.

Особливості швидкості:

• Послідовного читання: до 540 МБ/с
• Послідовного записування: до 500 МБ/с
• Випадкового читання блоками 4KB (QD32): до 97 000 IOPS
• Випадкового запису блоками 4KB (QD32): до 89 000 IOPS
• Випадкового читання (4KB, QD1): до 10 000 IOPS
• Випадкового запису (4KB, QD1): до 40 000 IOPS