Maj pełen okazji — nawet do -50% na kosmetyki, modę i elektronikę!

Pamięć RAM Samsung DDR4-3200 65536MB PC4-23400 ECC Registered (M393A8G40CB4-CWE)

Kod:  447228104
Pojemność pamięci
Taktowanie pamięci
Rodzaj pamięci
Przeznaczenie
Liczba kości

Pamięć RAM Samsung DDR4-3200 65536MB PC4-23400 ECC Registered (M393A8G40CB4-CWE)

Kod:  447228104

Dostępny

755,90

Gwarancja. 36 miesięcy Wymiana/zwrot towaru w ciągu 14 dni 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 

Opis

RAM Samsung DDR4-3200 65526 ​​​​MB PC4-23400 ECC Registered 2Rx4 to wysokiej jakości komponent opracowany przez firmę Samsung w celu poprawy wydajności systemu komputerowego. Pamięć ta oferuje imponującą kombinację pojemności, szybkości i niezawodności.

Ta pamięć RAM zapewnia wysoką szybkość przesyłania danych wynoszącą 3200 MHz, co czyni ją idealnym wyborem do wymagających zadań, edycji wideo, projektowania graficznego i intensywnego przetwarzania danych. Pozwala komputerowi efektywnie wykonywać wielozadaniowe operacje i szybko przetwarzać duże ilości danych.

RDIMM (Registered DIMM) to rodzaj modułu pamięci używanego w celu zwiększenia wydajności i stabilności systemu. Moduły RDIMM posiadają dodatkowy bufor, który pomaga zarządzać sygnałami danych, zwiększając częstotliwość zegara i umożliwiając podłączenie większej liczby modułów pamięci do systemu bez utraty wydajności.

Samsung to jeden z wiodących producentów pamięci, znany z wysokiego poziomu jakości i niezawodności. Produkcja tej pamięci odbywa się według rygorystycznych norm, co gwarantuje jej doskonałą wydajność i trwałość.

Podsumowując, Samsung DDR4-3200 65536 MB PC4-23400 ECC Registered 2Rx4 RAM  to wysokowydajne rozwiązanie poprawiające wydajność systemu komputerowego.

Specyfikacja

Pojemność pamięci
Taktowanie pamięci
Napięcie zasilania
  • 1.2 V
Rodzaj pamięci
Efektywna przepustowość
  • 23400 MB/s
Zobacz wszystkie parametry →

* Specyfikacje produktów i wyposażenie mogą ulec zmianie przez producenta bez powiadomienia.

Opinie i pytania

Brak opinii o produkcie

Podziel się swoją opinią jako pierwszy
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image