Maj pełen okazji — nawet do -50% na kosmetyki, modę i elektronikę!

Pamięć RAM Samsung DDR4-3200 16384 MB PC4-25600 (M471A2K43EB1-CWE)

Kod:  384614601
Pojemność pamięci
Taktowanie pamięci
Rodzaj pamięci
Przeznaczenie
Liczba kości

Pamięć RAM Samsung DDR4-3200 16384 MB PC4-25600 (M471A2K43EB1-CWE)

Kod:  384614601

Dostępny

151,90

Gwarancja. 24 miesiące Wymiana/zwrot towaru w ciągu 14 dni 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 

Opis

Samsung DDR4-3200 16384 MB PC4-25600 2Rx8 RAM to wysokiej jakości komponent opracowany przez firmę Samsung w celu poprawy wydajności systemu komputerowego. Pamięć ta oferuje imponującą kombinację pojemności, szybkości i niezawodności.

Główna charakterystyka:

Konfiguracja: 16 GB pamięci SO-DIMM
Typ pamięci: DDR4
Częstotliwość: 3200 MHz

Ta pamięć RAM zapewnia wysoką prędkość przesyłania danych wynoszącą 3200 MHz, co czyni ją idealnym wyborem do wymagających zadań, edycji wideo, projektowania graficznego i intensywnego przetwarzania danych. Pozwala komputerowi efektywnie wykonywać wielozadaniowe operacje i szybko przetwarzać duże ilości danych.

SO-DIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) to rodzaj pamięci RAM powszechnie stosowanej w laptopach, kompaktowych komputerach stacjonarnych i innych urządzeniach o ograniczonej przestrzeni. SO-DIMM to bardziej kompaktowa wersja standardowego modułu pamięci DIMM

Samsung to jeden z wiodących producentów pamięci, znany z wysokiego poziomu jakości i niezawodności. Produkcja tej pamięci odbywa się według rygorystycznych norm, co gwarantuje jej doskonałą wydajność i trwałość.

Podsumowując, pamięć RAM Samsung DDR4-3200 16384 MB PC4-25600 2Rx8  to wysokowydajne rozwiązanie poprawiające wydajność systemu komputerowego.

Specyfikacja

Pojemność pamięci
Taktowanie pamięci
Napięcie zasilania
  • 1,2 V
Rodzaj pamięci
Efektywna przepustowość
  • 25600 MB/s
Zobacz wszystkie parametry →

* Specyfikacje produktów i wyposażenie mogą ulec zmianie przez producenta bez powiadomienia.

Opinie i pytania

Brak opinii o produkcie

Podziel się swoją opinią jako pierwszy
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image