Jesienna wyprzedaż 2025 do -50%
RAM Silicon Power DDR3-1600 4096MB PC3-12800 (SP004GBVTU160N02/SP004GBLTU160N02) - obraz 1
Pojemność pamięci
Taktowanie pamięci
Rodzaj pamięci
Schemat taktowania pamięci
  • CL11
Liczba kości

RAM Silicon Power DDR3-1600 4096MB PC3-12800 (SP004GBVTU160N02/SP004GBLTU160N02)

Kod:  371196681

Chwilowo niedostępny

70,82

 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Gwarancja. 36 miesięcy. Wymiana/zwrot towaru w ciągu 14 dni. 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 

Opis

4 GB pamięci RAM Silicon Power to doskonały wybór do modernizacji domowego komputera. Pozwala poprawić wydajność większości aplikacji.

Silicon Power DDR3-1600 składa się z modułu dual-rank (dwa chipsety).

Efektywna przepustowość - 12800 MB/s
Częstotliwość pamięci - 1600 MHz

Specyfikacja

Pojemność pamięci
Taktowanie pamięci
Rodzaj pamięci
Efektywna przepustowość
  • 12800 MB/s
Schemat taktowania pamięci
  • CL11
Liczba kości
Kraj producenta
Współczynnik kształtu
Kod producenta
  • SP004GBLTU160N02
Kraj rejestracji marki
  • Chiny (Tajwan)
Gwarancja
  • 36 miesięcy
EAN
  • 4712702626988
Producent
  • Silicon Power
Adres
  • Silicon Power Computer & Communications Inc. | 7f., No.106, Zhouzi St., Neihu District, Taipei City 114, Taiwan
Osoba odpowiedzialna na terenie UE
  • Silicon Power BV
Adres
  • Antennestraat 16, 1322ab, Almere, The Netherlands

* Specyfikacje produktów i wyposażenie mogą ulec zmianie przez producenta bez powiadomienia.

Opinie i pytania

Brak opinii o produkcie

Podziel się swoją opinią jako pierwszy
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image
 
 
 
Image