- Pojemność pamięci
- Taktowanie pamięci
- Napięcie zasilania
- 1.35 V
- Rodzaj pamięci
- Efektywna przepustowość
- 14900 MB/s
- Przeznaczenie
- Schemat taktowania pamięci
- CL11
- Liczba kości
- Współczynnik kształtu
- Kraj producenta
- Numer części
- OWC1867DDR3S8GB
- Kraj rejestracji marki
- USA
- Gwarancja
- 5 lat
* Specyfikacje produktów i wyposażenie mogą ulec zmianie przez producenta bez powiadomienia.
